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                                产品展示PRODUCTS

                                您当前的位置:首页 > 产品展示 > 点元光电探测器 > 光伏碲镉汞HgCdTe PV(0.5um-11um) > PV-nvigo室温碲镉汞HgCdTe光电探测器(0.5um-11um)

                                vigo室温碲镉汞HgCdTe光电探测器(0.5um-11um)

                                vigo室温碲镉汞HgCdTe光电探测器(0.5um-11um)波兰VIGO公司是生产红外探测器及配套偏置和前置放大电路的专业公司,该公司生产的红外探测器,分制冷型(低温工作)和非制冷型(室温工作)两大类,其中包括70多种型号。VIGO红外探测器符合ISO9000标准质量体系,被广泛用于激光预警、红外探测与监控、辐射测温、激光跟踪与定位、激光识别、计量和光通讯等的研究与开发。
                                产品时间:2016-08-25
                                访问量:488

                                vigo室温碲镉汞HgCdTe光电探测器(0.5um-11um)

                                非制冷光电探测器

                                1、PV系列(2-12μm红外光电探测器)

                                 

                                  特点:室温下工作;无需偏置;响应时间短;无闪动噪声;从DC到高频范围工作;与快速逻辑元器件*兼容;动态范围宽;低成本;可根据客户要求设计。

                                  描述:PV-n(n表示*特性波长,单位是微米)系列的光电探测器是红外光电探测器,这些装置在2~11µm范围内的任意值可以达到*的性能。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的变隙半导体HgCdZnTe优化掺杂面和改进的表面处理来获得。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。标准可以供货的探测器(不带视窗)封装是改进的TO-39或BNC-based封装。其它的封装、视窗和连接器可以根据需求提供。

                                详细规格:

                                特性@ 20ºC

                                单位

                                PV-3         

                                PV-4         

                                PV-5

                                PV-6

                                PV-8

                                *特性波长λop

                                μm

                                3

                                4

                                5

                                6

                                8

                                探测率:

                                at λpeak

                                at λop

                                cmHz1/2/W

                                 

                                 

                                ≥8?109

                                ≥5?109

                                 

                                ≥1.5?109

                                ≥1?109

                                 

                                ≥8?108

                                ≥5?108

                                 

                                ≥4?108

                                ≥2?108

                                 

                                ≥8?107

                                ≥4?107

                                响应度

                                A/W

                                ≥1.2

                                ≥1.2

                                ≥1.2

                                ≥1

                                ≥0.5

                                响应时间τ

                                ns

                                ≤15 **

                                ≤15**

                                ≤15**

                                ≤12**

                                ≤7**

                                并联电阻-光学面积

                                Ω·cm 2

                                ≥0.05

                                ≥0.01

                                ≥0.003

                                ≥0.001

                                ≥0.0002

                                光学面积 ×

                                或直径  (园形)

                                mm x mm

                                mm

                                0.025×0.025; 0.05×0.05; 0.1×0.1; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

                                ø0.025; ø0.05; ø0.1; ø0.25; ø0.5; ø1; ø2; ø3

                                工作温度

                                K

                                300

                                视场, F#

                                deg

                                60, 0.5

                                2、PVI系列(2-12μm红外光电探测器、光侵入式)

                                特点:室温下工作;无需偏置;响应时间短;无闪动噪声;从DC到高频范围工作;与快速逻辑元器件*兼容;动态范围宽;低成本;可根据客户要求设计。

                                  描述:PVI-n(n表示*特性波长,单位是微米)系列探测器是红外光电探测器,使用用高折射率的GaAs(或CdZnTe )过半球透镜(标准)或者半球透镜(可选)进行光入。这些装置在2~11µm范围内的任意值可以达到*的性能。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的变隙半导体HgCdZnTe优化掺杂面和改进的表面处理来获得。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。标准可以供货的探测器(不带视窗)封装是改进的TO-39或BNC-based封装。其它的封装、视窗和连接器可以根据需求提供。vigo室温碲镉汞HgCdTe光电探测器(0.5um-11um)

                                详细规格:

                                特性@ 20ºC

                                单位

                                PVI-3

                                PVI-4

                                PVI-5

                                PVI-6

                                PVI-8

                                *特性波长λop

                                μm

                                3

                                4

                                5

                                6

                                8

                                探测率:

                                at λpeak

                                at λop

                                cmHz1/2/W

                                 

                                ≥2E10

                                ≥1.5E10

                                 

                                ≥6E9

                                ≥4E9

                                 

                                ≥3E9

                                ≥2E9

                                 

                                ≥2E9

                                ≥1E9

                                 

                                ≥3E9

                                ≥1.5E8

                                响应度

                                A/W

                                ≥1.2

                                ≥1.3

                                ≥1.3

                                ≥1.2

                                ≥1

                                响应时间τ

                                ns

                                ≤15**

                                ≤15**

                                ≤15**

                                ≤12**

                                ≤7**

                                并联电阻-光学面积

                                Ω·cm 2

                                ≥5

                                ≥1

                                ≥0.3

                                ≥0.1

                                ≥0.02

                                光学面积×

                                或直径  (圆形)

                                mm x mm

                                 mm

                                0.2×0.2; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

                                ø0.2;ø0.25;ø0.5;ø1;ø2;ø3

                                工作温度

                                K

                                300

                                视场, F#

                                deg

                                35, 1.65

                                3、PVM系列(2-12μm红外光电探测器、倍增结构

                                 

                                特点:室温下工作;无需偏置;响应时间短;无闪动噪声;从DC到高频范围工作;与快速逻辑元器件*兼容;动态范围宽;低成本;可根据客户要求设计。

                                  描述:PVM-n(n表示*特性波长,单位是微米)系列的光电探测器是多重异质结红外光电探测器,这些装置专门用于大范围内的探测,工作在8~12µm的范围。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的变隙半导体HgCdZnTe优化掺杂面和改进的表面处理来获得。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。标准可以供货的探测器(不带视窗)封装是改进的TO-39或BNC-based封装。其它的封装、视窗和连接器可以根据需求提供。

                                详细规格:

                                特性@ 20ºC

                                单位

                                PVM-8

                                PVM-10.6

                                *特性波长λop

                                μm

                                8

                                10.6

                                探测率:

                                at λpeak

                                at λop

                                cmHz1/2/W

                                 

                                1.2E8

                                6E7

                                 

                                3E7

                                1E7

                                响应度(at λop*

                                V·mm/W

                                0.6

                                0.1

                                响应时间τ

                                ns

                                7

                                1

                                电阻

                                Ω

                                15-300

                                10-150

                                光学面积(矩形长×)

                                mm x mm

                                0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2

                                工作温度

                                K

                                300

                                视场, F#

                                Deg

                                60, 0.5

                                4、PVMI系列(2-12μm红外光电探测器、倍增结构、光侵入式)

                                 

                                特点:室温下工作;无需偏置;响应时间短;无闪动噪声;从DC到高频范围工作;与快速逻辑元器件*兼容;动态范围宽;大面积装置;低成本;可根据客户要求设计。

                                   描述:PVMI-n(n表示*特性波长,单位是微米)系列的光电探测器是多重异质结红外光电探测器,使用用高折射率的GaAs(或CdZnTe )过半球透镜(标准)或者半球透镜(可选)进行光入。这些装置工作在8~12微米的范围内特别用于大范围探测。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的变隙半导体HgCdZnTe优化掺杂面和改进的表面处理来获得。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。标准可以供货的探测器(不带视窗)封装是改进的TO-39或BNC-based封装。其它的封装、视窗和连接器可以根据需求提供。

                                   详细规格:

                                特性@ 20ºC

                                单位

                                PVMI-8

                                PVMI-10.6

                                *特性波长λop

                                μm

                                8

                                10.6

                                探测率:

                                at λpeak

                                at λop

                                cmHz1/2/W

                                 

                                6?108

                                3?108

                                 

                                2?108

                                1?108

                                响应度–at λop

                                V×mm/W

                                3

                                0.5

                                响应时间τ

                                ns

                                7

                                1

                                电阻

                                Ω

                                15-300

                                10-150

                                光学面积 (长 × 宽)

                                mm× mm

                                0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

                                工作温度

                                K

                                300

                                视场, F#

                                deg

                                35, 1.65

                                5、PC系列(2-12μm红外光电导探测器)

                                特点:室温下工作;D*(10.6 µm)达到6*107 cmHz1/2/W;响应时间≤1ns;与快速逻辑元器件*兼容;使用方便;低成本;及时交货;可根据客户要求设计。

                                描述:PC-n(n表示*特性波长,单位是微米)系列是高速、室温工作的红外光电导探测器这些装置在2~12微米范围内的任意值可以达到*的性能。。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的变隙半导体HgCdZnTe(优化掺杂面和改进的表面处理)来获得。用小型轻巧耐用的包装封装的。每个探测器都提供性能参数。探测器适用于外差探测,高频辐射探测要求响应时间短并与快速元器件兼容,以及能够与快速电子学匹配的高频辐射。可以按客户所定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。

                                详细规格:

                                特性@ 20ºC

                                单位

                                PC-4

                                PC-5

                                PC-6

                                PC-9

                                PC-10.6

                                *特性波λop

                                µm

                                4

                                5

                                6

                                9

                                10.6

                                探测率:

                                at ?λpeak,20kHz

                                at λop, 20kHz

                                cmHz1/2/W

                                >4E9

                                >2E9

                                >2E9

                                >1E9

                                >6E8

                                >3E8

                                >6E9

                                >2E7

                                 

                                >1E7

                                >4E6

                                响应度-@λop

                                Vmm/W

                                >100

                                >40

                                >6

                                >0.4

                                >0.05

                                响应时间τ

                                ns

                                <1000

                                <500

                                <200

                                <2

                                <1

                                1/f噪声拐点频率

                                kHz

                                1-10

                                1-10

                                1-10

                                1-10

                                1-20

                                有效面积(×)

                                mm × mm

                                0.05×0.05; 0.1×0.1;0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;3×3;4×4

                                偏置电流-宽度比*

                                mA/mm

                                1-10

                                1-10

                                1-10

                                1-10

                                1-20

                                薄层电阻系数

                                Ω/sqr

                                300-1000

                                200-400

                                100-300

                                50-150

                                40-120

                                视场, F#*

                                deg

                                60, 0.5

                                6、PCI系列(2-12μm红外光电导探测器、光入浸式)

                                 

                                特点:室温下工作;D*(10.6 µm)达到3*108cmHz1/2/W;响应时间≤1ns;动态范围宽;与快速逻辑元器件*兼容;使用方便;低成本;及时交货;可根据客户要求设计。

                                描述:PCI-n(n表示*特性波长,单位是微米)系列的电探测器是非冷却红外光电探测器,使用高折射率的GaAs(或CdZnTe )过半球透镜(标准)或者半球透镜(可选)进行光入。这些装置在2~12µm范围内的任意值可以达到*的性能。他们的高性能和稳定性通过开发的变隙(HgCdZnTe)半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。可以按客户所定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。

                                详细规格:

                                特性(@ 20ºC)

                                单位

                                PCI-4

                                PCI-5

                                PCI-6

                                PCI-9

                                PCI-10.6

                                *特性波长λop

                                µm

                                4

                                5

                                6

                                9

                                10.6

                                探测率:

                                at λ? peak, 20kHz

                                at λop, 20kHz

                                cmHz1/2/W

                                 

                                >1E10 >6E9

                                 

                                >7E9

                                >4E9

                                 

                                >2E9

                                >1E9

                                 

                                >3E8

                                >1E8

                                 

                                >2E8

                                >5E7

                                响应度-@λop

                                Vmm/W

                                >600

                                >300

                                >60

                                >3

                                >2

                                响应时间τ

                                ns

                                <1000

                                <500

                                <200

                                <2

                                <1

                                1/f噪声拐点频率

                                kHz

                                1-10

                                1-10

                                1-10

                                1-10

                                1-20

                                有效面积(长×宽)

                                mm×mm

                                0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2

                                偏置电流-宽度比

                                mA /mm

                                1-2

                                2-4

                                3-10

                                3-15

                                5-20

                                薄层电阻系数

                                Ω/sqr

                                300-1000

                                200-400

                                100-300

                                50-150

                                40-120

                                视场, F#

                                deg

                                35,1.65

                                留言框

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