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                                产品展示PRODUCTS

                                您当前的位置:首页 > 产品展示 > 点元光电探测器 > 光伏碲镉汞HgCdTe PV(0.5um-11um) > PV-2TE-13vigo制冷型碲镉汞HgCdTe光电探测器(0.5um-11um)

                                vigo制冷型碲镉汞HgCdTe光电探测器(0.5um-11um)

                                vigo制冷型碲镉汞HgCdTe光电探测器(0.5um-11um),波兰VIGO公司是生产红外探测器及配套偏置和前置放大电路的专业公司,该公司生产的红外探测器,分制冷型(低温工作)和非制冷型(室温工作)两大类,其中包括70多种型号。VIGO红外探测器符合ISO9000标准质量体系,被广泛用于激光预警、红外探测与监控、辐射测温、激光跟踪与定位、激光识别、计量和光通讯等的研究与开发。
                                产品时间:2016-08-25
                                访问量:451

                                vigo制冷型碲镉汞HgCdTe光电探测器(0.5um-11um)

                                TE制冷光电探测器

                                1、PV-2TE(2-12μm红外光电探测器、热电制冷)

                                特点:高性能的在2-12μm范围,无须LN(液氮)制冷;快速响应;无闪动噪声;使用方便;动态范围宽;小巧,耐用可靠;低成本;及时交货;可按客户要求设计。

                                描述:PV-2TE-n n表示*特性波长,单位是微米)系列光电探测器是两级的TE-制冷式红外光电探测器。这些器件在211µm范围内的任意值可以优化为zui高性能。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的间隙(HgCdZnTe半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。标准可以供货的探测器是带BaF2视窗,并采用改进的TO-8封装。其他的封装和视窗可以按需求供货。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、特定封装、连接器视窗和光滤波器。vigo制冷型碲镉汞HgCdTe光电探测器(0.5um-11um)

                                详细规格:

                                特性(@ 20ºC

                                单位

                                PV-2TE-3

                                PV-2TE-4

                                PV-2TE-5

                                PV-2TE-6

                                PV-2TE-8

                                PV-2TE-10.6

                                *特性波长λop

                                μm

                                3

                                4

                                5

                                6

                                8

                                10.6

                                探测率:

                                at λpeak

                                at λop

                                cmHz1/2/W

                                 

                                ≥8?1010 ≥5?1010

                                 

                                ≥1.5?1010

                                ≥1?1010

                                 

                                ≥8?109

                                ≥5?109

                                 

                                ≥4?109  ≥2?109

                                 

                                ≥8?108  ≥4?108

                                 

                                ≥3?108

                                ≥1?108

                                响应度

                                A/W

                                ≥1.2

                                ≥1.3

                                ≥1.3

                                ≥1.2

                                ≥1

                                ≥0.7

                                响应时间τ

                                ns

                                ≤15**

                                ≤20**

                                ≤20**

                                ≤10**

                                ≤7**

                                ≤3**

                                并联电阻-光学面积

                                Ω·cm 2

                                ≥0.3

                                ≥0.10

                                ≥0.02

                                ≥0.006

                                ≥0.001

                                ≥0.0001

                                光学面积×

                                或直径  (圆形)

                                mm x mm

                                mm

                                0.025×0.025; 0.05×0.05; 0.1×0.1; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

                                ø 0.025; ø 0.05; ø 0.1; ø 0.25; ø 0.5; ø 1; ø 2; ø 3

                                工作温度

                                K

                                220-240

                                视场, F#

                                deg

                                60, 0.5

                                2、PVI-2TE(2-12μm红外光电探测器、热电制冷、光侵入式)

                                特点:高性能的在2-12μm范围,无须LN(液氮)制冷;快速响应;无闪动噪声;使用方便;动态范围宽;小巧,耐用可靠;低成本;及时交货;可按客户要求设计。

                                描述:PVI-2TE-n n表示*特性波长,单位是微米)系列光电探测器是两级的TE-制冷式红外光电探测器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透镜(标准)或者过半球透镜(可选)进行光照入。这些器件在211µm范围内的任意值可以优化为zui高性能。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的间隙(HgCdZnTe半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。标准可以供货的探测器是带BaF2视窗,并采用改进的TO-8封装。其他的封装和视窗可以按需求供货。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、特定封装、连接器视窗和光滤波器。

                                详细规格:

                                特性(@ 20ºC

                                单位

                                PVI-2TE-3

                                PVI-2TE-4

                                PVI-2TE-5

                                PVI-2TE-6

                                PVI-2TE-8

                                PVI-2TE-10.6

                                *特性波长λop

                                μm

                                3

                                4

                                5

                                6

                                8

                                10.6

                                探测率:

                                at λpeak

                                at λop

                                cmHz1/2/W

                                 

                                2?1011

                                1.5?1010

                                 

                                6?1010

                                4?1010

                                 

                                3?1010

                                2?1010

                                 

                                2?1010

                                1?1010

                                 

                                5?109

                                2?109

                                 

                                3?109

                                1?109

                                响应度

                                A/W

                                ≥1.2

                                ≥1.3

                                ≥1.3

                                ≥1.2

                                ≥1

                                ≥0.7

                                响应时间τ

                                ns

                                ≤15**

                                ≤20**

                                ≤20**

                                ≤10**

                                ≤7**

                                ≤3**

                                并联电阻-光学面积

                                Ω·cm 2

                                ≥30

                                ≥10

                                ≥2

                                ≥0.6

                                ≥0.1

                                ≥0.01

                                光学面积×

                                或直径  (圆形)

                                mm x mm

                                mm

                                0.2×0.2; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

                                ø0.2; ø 0.25; ø 0.5; ø 1; ø 2; ø 3

                                工作温度

                                K

                                220-240

                                视场, F#

                                deg

                                35,1.65

                                3、PVM-2TE(2-12μm红外光电探测器、倍增结构、热电制冷)

                                特点:高性能的在2-12μm范围,无须LN(液氮)制冷;快速响应;无闪动噪声;使用方便;动态范围宽;小巧,耐用可靠;低成本;及时交货;可按客户要求设计。

                                描述:PV-2TE-n n表示*特性波长,单位是微米)系列光电探测器是两级的TE-制冷式红外光电探测器。这些器件可以优化为更长波长,更大面积的更高性能器件。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的间隙(HgCdZnTe半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。标准可以供货的探测器是带BaF2视窗,并采用改进的TO-8封装。其他的封装和视窗可以按需求供货。

                                详细规格:

                                特性@ 20ºC

                                单位

                                PVM-2TE-8

                                PVM-2TE-10.6-2      

                                *特性波长λop

                                µm

                                8

                                10.6

                                探测率:

                                at λpeak

                                at λop

                                cmHz1/2/W

                                ≥6?108

                                ≥3?108

                                ≥2?108

                                ≥1?108

                                响应度 – at λop*

                                V x mm /W

                                ≥2

                                ≥0.5

                                响应时间τ

                                ns

                                ≤7

                                ≤3

                                电阻

                                Ω

                                40-300

                                30-200

                                光学面积×

                                mm x mm

                                0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

                                工作温度*

                                K

                                220-240

                                视场, F#*

                                deg

                                60, 0.5

                                4、PVMI-2TE(2-12μm红外光电探测器、倍增结构、热电制冷、光侵入式)

                                特点:高性能的长波长范围,无须LN(液氮)制冷;快速响应;无闪动噪声;使用方便;动态范围宽;小巧,耐用可靠;低成本;及时交货;可按客户要求设计。

                                描述:PVMI-2TE-n n表示*特性波长,单位是微米)系列光电探测器是两级的TE-制冷式红外光电探测器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透镜(标准)或者过半球透镜(可选)进行光照入。这些器件可以优化为更长波长,更大面积的更高性能器件。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的间隙(HgCdZnTe半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。标准可以供货的探测器是带BaF2视窗,并采用改进的TO-8封装。其他的封装和视窗可以按需求供货。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、特定封装、连接器视窗和光滤波器。

                                详细规格:

                                特性@ 20ºC

                                单位

                                PVMI-2TE-10.6

                                *特性波长λop

                                µm

                                10.6

                                探测率:

                                at λpeak

                                at λop

                                cmHz1/2/W

                                ≥2?109

                                ≥1?109

                                响应度 – at λop

                                V·mm /W

                                ≥7

                                响应时间τ

                                ns

                                ≤3

                                电阻*

                                Ω

                                30-200

                                光学面积 (长×

                                mm x mm

                                0.1×0.1;0.25×0.25;0.5×0.5;1×1;2×2;

                                工作温度*

                                K

                                220-240

                                视场, F#*

                                deg

                                35,1.65

                                5、PC-2TE(2-12μm红外光电探测器、热电制冷)

                                特点:高性能在2-14μm范围,无须LN(液氮)制冷;快速响应;使用方便;动态范围宽;小巧,耐用可靠;低成本;及时交货;可按客户要求设计

                                描述:PC-2TE-n n表示*特性波长,单位是微米)系列光电探测器是两级的TE-制冷式红外光电探测器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透镜(标准)或者过半球透镜(可选)进行光照入。这些设备在2~14µm范围内的任意值可以优化为zui高性能。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的间隙(HgCdZnTe半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。标准可以供货的探测器是带BaF2视窗,并采用改进的TO-8封装。其他的封装和视窗可以按需求供货。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、特定封装、连接器视窗和光滤波器。

                                详细规格:

                                特性@ 20ºC

                                单位

                                PC-2TE-4  

                                PC-2TE-5  

                                PC-2TE-6  

                                PC-2TE-9  

                                PC-2TE-10.6  

                                PC-2TE-12 

                                *特性波长λop

                                µm

                                4

                                5

                                6

                                9

                                10.6

                                12

                                探测率:

                                at ?λpeak, 20kHz

                                at λop, 20kHz

                                cmHz1/2/W

                                >4E10 >2E10

                                >2E10  >1E10

                                >6E9

                                >3E9

                                >2E9 >8E8**

                                >5E8

                                >2.5E8**

                                >4E8

                                >1.5E8**

                                响应度-atλop1x1 mm

                                V/W

                                >1000

                                >500

                                >70

                                >5

                                >3

                                >1

                                响应时间τ

                                ns

                                <4000

                                <2000

                                <1000

                                <20

                                <10

                                <2

                                1/f噪声拐点频率

                                kHz

                                1-10

                                1-10

                                1-10

                                1-10

                                1-20

                                1-20

                                有效面积, ( × )

                                mm × mm

                                0.05×0.05; 0.1×0.1;0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

                                偏置电流-宽度比*

                                mA/mm

                                1-2

                                2-4

                                4-8

                                4-10

                                5-15

                                5-15

                                薄层电阻系数

                                Ω/sqr

                                600-1500

                                300-500

                                200-400

                                80-200

                                50-150

                                50-150

                                视场, F#

                                deg

                                60, 0.5

                                6、PCI-2TE(2-12μm红外光电探测器、热电制冷、光侵入式)

                                特点:高性能在2-14μm范围,无须LN(液氮)制冷;快速响应;使用方便;与快速元器件*兼容;动态范围宽;小巧,耐用可靠;低成本;及时交货;可按客户要求设计

                                描述:PCI-2TE-n n表示*特性波长,单位是微米)系列光电探测器是两级的TE-制冷式红外光电探测器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透镜(标准)或者过半球透镜(可选)进行光照入。这些设备在2~14µm范围内的任意值可以优化为zui高性能。他们的高性能和稳定性可以通过zui近开发的间隙(HgCdZnTe半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。标准可以供货的探测器是带BaF2视窗,并采用改进的TO-8封装。其他的封装和视窗可以按需求供货。可以按客户定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、特定封装、连接器视窗和光滤波器。

                                详细规格:

                                特性@ 20ºC

                                单位

                                PCI-2TE-4  

                                PCI-2TE-5  

                                PCI-2TE-6  

                                PCI-2TE-9  

                                PCI-2TE-10.6  

                                PCI-2TE-12 

                                *特性波长λop

                                µm

                                4

                                5

                                6

                                9

                                10.6

                                12

                                探测率:

                                at λ? peak, 20kHz

                                at λop, 20kHz

                                cmHz1/2/W

                                >1E11 >5E10

                                >6E10

                                >3E10

                                >2E10 >1E10

                                >9E9

                                >4E9

                                >5E9

                                >2.5E9

                                >4E9

                                >1.5E9

                                响应度- atλop1x1 mm

                                Vmm/W

                                >6000

                                >3000

                                >600

                                >40

                                >25

                                >15

                                响应时间τ

                                ns

                                <4000

                                <2000

                                <1000

                                <20

                                <10

                                <2

                                1/f噪声拐点频率

                                kHz

                                1-10

                                1-10

                                1-10

                                1-10

                                1-20

                                1-20

                                有效面积, (×)

                                mm×mm

                                0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;

                                偏置电流-宽度比*

                                mA/mm

                                0.050.3

                                0.10.5

                                0.30.8

                                25

                                520

                                520

                                薄层电阻系数

                                Ω/sqr

                                600-1500

                                300-500

                                200-400

                                50-200

                                50-150

                                50-150

                                视场, F#

                                deg

                                35, 1.65

                                         

                                 

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