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                                产品展示PRODUCTS

                                您当前的位置:首页 > 产品展示 > 铟镓砷短波焦平面探测器 > CLPT320×256InGaAs探测器 > LD-FPA-640x512CLPT中华立鼎铟镓砷InGaAs短波红外芯片

                                CLPT中华立鼎铟镓砷InGaAs短波红外芯片

                                CLPT中华立鼎铟镓砷InGaAs短波红外芯片,此InGaAs焦平面阵列是应用在900nm-1700nm的近红外成像和成像光谱技术,尤其是在非制冷条件下的优化解决方案,CLPT的核心技术是实现优良品质的InGaAs焦平面阵列,CLCC封装也便于CCD与CMOS数码相机销售商的机械设计。
                                产品时间:2021-12-03
                                访问量:1312

                                CLPT中华立鼎铟镓砷InGaAs短波红外芯片LD-FPA-640x512

                                 CLPT中华立鼎铟镓砷InGaAs短波红外芯片LD-FPA-640x512此InGaAs焦平面阵列是应用在900nm-1700nm的近红外成像和成像光谱技术,尤其是在非制冷条件下的优化解决方案,CLPT的核心技术是实现优良品质的InGaAs焦平面阵列,CLCC封装也便于CCD与CMOS数码相机销售商的机械设计。

                                Features(特点)

                                640*512阵列格式

                                15/25um 象元间距

                                Kovar metal一级制冷

                                低暗电流

                                高量子效率

                                高操作性

                                Applications(应用)

                                近红外成像

                                超光谱

                                秘密监察

                                半导体检测

                                天文学和科学

                                工业热成像

                                FPA-640*512说明

                                参数

                                单位

                                min

                                max

                                工作温度范围

                                -20

                                +85

                                储存温度范围

                                -40

                                +85

                                功耗

                                mW

                                ---

                                325

                                TEC 电流

                                A

                                ---

                                1.8

                                TEC 电压

                                V

                                ---

                                15.4

                                FPA Characteristics(FPA特性)

                                参数

                                典型值

                                条件

                                光谱响应

                                0.9-1.7um

                                ---

                                小像素的可操作性

                                >99%

                                636*508内的中心地区

                                暗电流

                                <0.2PA

                                25℃,0.1V探测器偏压

                                量子效率

                                >70%

                                λ=1.0um-1.6um

                                探测率

                                ≥5*1011 jones

                                25℃, λ=1.55um,T=16ms,高增益

                                响应非均匀性

                                <10%

                                饱和度低于50%,25℃

                                非线性(大偏差)

                                <2%

                                超过15%-85%全阱容量,低增益

                                大像素率

                                10MHz

                                ---

                                增益

                                High:32.3uV/e- Low:1.2 uV/e-

                                25℃

                                TEC 制冷

                                ΔT>70℃

                                无需加载

                                随着技术的不断革新,现CLPT公司也提供:

                                1)CLPT中华立鼎制冷型铟镓砷InGaAs短波红外芯片,响应波段在1.2-2.2um范围的320*256面阵探测器;

                                2)CLPT320×256-K短波红外探测器体积更小,质量更轻的320x256和640x512面阵探测


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