CLPT中华立鼎铟镓砷InGaAs短波红外芯片

CLPT中华立鼎铟镓砷InGaAs短波红外芯片，此InGaAs焦平面阵列是应用在900nm-1700nm的近红外成像和成像光谱技术，尤其是在非制冷条件下的优化解决方案，CLPT的核心技术是实现优良品质的InGaAs焦平面阵列，CLCC封装也便于CCD与CMOS数码相机销售商的机械设计。

产品时间：2021-12-03

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产品介绍

CLPT中华立鼎铟镓砷InGaAs短波红外芯片LD-FPA-640x512

CLPT中华立鼎铟镓砷InGaAs短波红外芯片LD-FPA-640x512此InGaAs焦平面阵列是应用在900nm-1700nm的近红外成像和成像光谱技术，尤其是在非制冷条件下的优化解决方案，CLPT的核心技术是实现优良品质的InGaAs焦平面阵列，CLCC封装也便于CCD与CMOS数码相机销售商的机械设计。

Features（特点）

640*512阵列格式

15/25um 象元间距

Kovar metal一级制冷

低暗电流

高量子效率

高操作性

Applications（应用）

近红外成像

超光谱

秘密监察

半导体检测

天文学和科学

工业热成像

FPA-640*512说明

参数	单位	min	max
工作温度范围	℃	-20	+85
储存温度范围	℃	-40	+85
功耗	mW	---	325
TEC 电流	A	---	1.8
TEC 电压	V	---	15.4

FPA Characteristics（FPA特性）

参数	典型值	条件
光谱响应	0.9-1.7um	---
小像素的可操作性	>99%	636*508内的中心地区
暗电流	<0.2PA	25℃,0.1V探测器偏压
量子效率	>70%	λ=1.0um-1.6um
探测率	≥5*10¹¹ jones	25℃, λ=1.55um,T=16ms,高增益
响应非均匀性	<10%	饱和度低于50%,25℃
非线性(大偏差)	<2%	超过15%-85%全阱容量，低增益
大像素率	10MHz	---
增益	High:32.3uV/e^- Low:1.2 uV/e^-	25℃
TEC 制冷	ΔT>70℃	无需加载

随着技术的不断革新，现CLPT公司也提供：

1）CLPT中华立鼎制冷型铟镓砷InGaAs短波红外芯片，响应波段在1.2-2.2um范围的320*256面阵探测器；

2）CLPT320×256-K短波红外探测器体积更小，质量更轻的320x256和640x512面阵探测器

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