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                                产品展示PRODUCTS

                                您当前的位置:首页 > 产品展示 > 铟镓砷短波焦平面探测器 > CLPT640×512InGaAs探测器 > LD-FPA-320×256-CCLPT中华立鼎非制冷铟镓砷InGaAs短波红外芯片

                                CLPT中华立鼎非制冷铟镓砷InGaAs短波红外芯片

                                CLPT中华立鼎非制冷铟镓砷InGaAs短波红外芯片,此二维铟钾砷面阵探测器的响应波段为900-1700nm,目前可做到320x256和640x512阵列。此阵列探测器利用覆晶装订技术可以使其与读出电路紧密结合,同时采用LCC及Kovar气密封装,且表面镀有抗反射膜。同时,我们可以根据客户的需求定制封装不同的产品。
                                产品时间:2016-08-19
                                访问量:1106

                                CLPT中华立鼎非制冷铟镓砷InGaAs短波红外芯片,此二维铟钾砷面阵探测器的响应波段为900-1700nm,目前可做到320x256640x512阵列。此阵列探测器利用覆晶装订技术可以使其与读出电路紧密结合,同时采用LCCKovar气密封装,且表面镀有抗反射膜。同时,我们可以根据客户的需求定制封装不同的产品。

                                Features(特点)

                                Large Sensing Area大感光面

                                High Responsitivity高响应率

                                High Sensitivity高灵敏度

                                High Shunt Resistance高阻抗

                                Low Dark Current低暗电流

                                High Dynamic Range高动态范围

                                Optical Powering视觉影像

                                 

                                 

                                 

                                Applications(应用)

                                Power Measurement功率测量

                                IR Sensing红外线测量

                                Spectrography光谱分析

                                Medical and Chemical Devices

                                医学和生化检测

                                Temperature Sensors温度测量

                                Light Detection and Ranging (LIDAR)

                                 

                                 

                                1.1FPA-320x256InGaAs Imager0.9um-1.7um

                                CLPT中华立鼎非制冷铟镓砷InGaAs短波红外芯片,InGaAs焦平面阵列是应用在900nm-1700nm的近红外成像和成像光谱技术,尤其是在非制冷条件下的优化解决方案,CLPT的核心技术是实现优良品质的InGaAs焦平面阵列,CLCC封装也便于CCDCMOS数码相机制造商的机械设计。

                                Features(特点)

                                320*256 阵列格式

                                30um 象元间距

                                CLCC 封装

                                低暗电流

                                高量子效率

                                高可操作性

                                 

                                 

                                 

                                Applications(应用)

                                近红外成像

                                超光谱

                                秘密监察

                                半导体检测

                                天文学和科学

                                工业热成像

                                 

                                 

                                zui大额定值

                                参数

                                单位

                                zui小值

                                zui大值

                                工作温度范围

                                -20

                                85

                                储存温度范围

                                -40

                                85

                                功耗

                                mW

                                ---

                                175

                                FPA特性

                                参数

                                典型值

                                条件

                                光谱响应

                                0.9um-1.7um

                                ---

                                zui小像素的可操作性

                                >99%

                                318*254内的中心地区

                                暗电流

                                <0.4PA

                                25,0.1V 探测器偏压

                                量子效率

                                >70%

                                λ=1.0um-1.6um

                                探测率

                                ≥5*1011Jones

                                25, λ=1.55um,T=16ms,高增益

                                响应非均匀性

                                <10%

                                饱和度低于50%,25

                                非线性(zui大偏差)

                                <2%

                                超过10%-90%满阱容量

                                zui大像素率

                                10MHz

                                ---

                                增益

                                High:14.38uV/e-

                                Low:0.77 uV/e-

                                25

                                 

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